1,000 μeまでのひずみトランスデューサー

このひずみトランスデューサーは、既存の部品に作用する外力による変形を測定する必要がある用途向けに設計されています。このひずみトランスデューサーは、シンプルにねじ込み接続ができます。校正後ユニットはフォーストランスデューサーの特性を獲得します。ひずみトランスデューサは、伸びが測定範囲内の最大付近の構造に使用するのに適しています。 1.0％以下。2本のねじで伸びが生じる構造に取り付けられます。アンプが内蔵されています。複合変形体/ひずみトランスデューサーは、制御信号によって容易に校正することができます。全体的な精度は、設置状況によって異なりますが、フルスケールの2％より優れています。

ひずみトランスデューサの中心には、7 mmの薄膜センサがあり、温度補償されたホイートストーンブリッジ回路が狭いスペースに取り付けられています。デジタルプログラマブルアンプは、特定のアプリケーション向けに工場出荷時にプリセットすることが可能です。このトランスデューサーは、静的測定および動的測定の両方に使用することができます。

このひずみトランスデューサは、EN 61326の電磁適合性（EMC）要件を満たしています。

測定範囲

0 ... 200 μeから最大 0 ... 1,000 μeまでのひずみ